Produktbeschreibung
LaAlO3 ist ein supraleitendes Hochtemperatur-Einkristallsubstrat. Es ist ein gutes Substratmaterial für das epitaktische Wachstum von hochtemperatursupraleitenden Dünnfilmen und riesigen magnetischen Dünnfilmen. Seine dielektrischen Eigenschaften eignen sich für verlustarme Mikrowellen- und dielektrische Resonanzanwendungen.
Hauptvorteile:
Kleine Dielektrizitätskonstante
Geringer dielektrischer Verlust
Gute Gitteranpassung
Kleiner Wärmeausdehnungskoeffizient
Gute chemische Stabilität; große Energielücke
Große spezifische Oberfläche
Gute thermische Stabilität
Typische Anwendungen:
Hochtemperatur-supraleitendes Dünnschicht-Epitaxiesubstrat; Makromagnetisches Dünnfilm-Epitaxiesubstrat; Mikrowellenverstärkung und dielektrische Resonanz
Materialeigenschaften
| Chemische Formel | LaAlO3 |
| Wachstumsmethode | Czochralski |
| Kristallsystem | Sechseckig (Raumtemperatur) |
| Gitterkonstante | Hexagonal a = 5,357 Å c = 13,22 Å |
| Härte | 6,5 Mohs |
| Dichte | 6,52 g/cm3 |
| Schmelzpunkt | Schmelzpunkt |
| Wärmeausdehnung | 10×10-6/℃ |
| Verlusttangens (10 GHz) | ~3×10-4@300K,~0,6×10-4@77K |
Technische Parameter
| Maße | Maximaler Durchmesser 76,2 mm (3 Zoll) |
| Dicke | 0,5 mm andere Dicke verfügbar |
| Polieren | Einzel oder Doppel |
| Orientierung | <100><110><111> |
| Ra | Ra≤5Å（5µm×5µm） |
| Orientierungstoleranz | ±0,2° |
| Orientierungsebene | 2° (innerhalb von 1° für besondere Anforderungen) |
| Kristalliner Winkel | Sondergrößen und -ausrichtungen sind auf Anfrage erhältlich |
Hinweis: Die oben genannten Parameter dienen nur als Referenz. Bitte wenden Sie sich für Ihre spezifischen Anforderungen an unseren Vertriebsmitarbeiter.
