Produktbeschreibung
Monokristallines Si wird nach dem folgenden Verfahren hergestellt: Quarzsand – Silizium in metallurgischer Qualität – Reinigung und Raffination – abgeschiedene polykristalline Siliziumbarren – monokristallines Silizium – Waferschneiden. Die Hauptanwendung von monokristallinem Si ist der Einsatz als Halbleitermaterial sowie im Bereich Solarenergie und Solarheizung usw.
Hauptvorteile:
Eine Einzelprüfung ist möglich
MCZ-Wachstumsmethode (Superconducting Magnetic Czochralski).
Maximaler Durchmesser von 485 mm
Keine Luxationsdefekte
Hoher Wachstumsertrag
Der Gehalt an Verunreinigungen ist äußerst gering
Typische Anwendungen:
Halbleitermaterialien
Solarenergie
Solarheizung
Materialeigenschaften
| Material | Si |
| Chemische Formel | Si |
| Dichte | 2,33 g/cm³ |
| Reinheit | 99.999% |
| Maßtoleranz | ±0,1 mm |
| Oberfläche | 3.2Ra |
| Farbe | Hellgrau |
Nach der Czochralski-Methode angebaut
Durchmesser: bis zu 485 mm
Dotierstoff B (Borum)
Leitfähigkeitstyp: P
Ausrichtung: 100
Widerstand: bis zu 10000
Notch-ja Notch-Position: 110
Kerbengröße: 2,3 mm
Form der Kerbe: V
Waferdicke: 775 ± 25 Mikrometer. Art der Markierung: Laser. Markierungsort. Rückseite. Kantenprofil: SEMI T/4
