単結晶シリコンウェーハ
チョクラルスキー法で成長
直径:最大485mm
ドーパントB(ボルム)
導電率の種類: P
方向: 100
抵抗率: 最大 10000
ノッチあり ノッチ位置: 110
ノッチサイズ: 2,3 mm
ノッチの形状:V
ウェーハの厚さ: 775±25 ミクロン マーキングの種類: レーザー マーキング位置 裏面 エッジプロファイル: SEMI T/4 S1/S2 研磨 - あり
ウェーハ全体の厚さの合計変化 (TTV)、ミクロン < 3
WARP: <40 ミクロン 表面上の粒子の数が多い
0.12ミクロン未満: <40
アルミニウムの表面含有量、E10AT/CM2: 5