Описание продукта
ЛаАлО3 представляет собой высокотемпературную сверхпроводящую монокристаллическую подложку. Это хороший материал подложки для эпитаксиального выращивания тонких высокотемпературных сверхпроводящих пленок и гигантских магнитных тонких пленок. Его диэлектрические свойства подходят для применения в микроволновом диапазоне и диэлектрическом резонансе с низкими потерями.
Основные преимущества:
Малая диэлектрическая проницаемость
Низкие диэлектрические потери
Хорошее соответствие решетке
Малый коэффициент теплового расширения
Хорошая химическая стабильность; широкий энергетический разрыв
Большая удельная поверхность
Хорошая термическая стабильность
Типичные области применения:
Высокотемпературная сверхпроводящая тонкопленочная эпитаксиальная подложка; Макромагнитная тонкопленочная эпитаксиальная подложка; СВЧ-усиление и диэлектрический резонанс
Свойства материала
| Химическая формула | LaAlO3 |
| Метод роста | Чохральский |
| Кристальная система | Шестиугольный (комнатная температура) |
| Постоянная решетки | Hexagonal a = 5.357Å c = 13.22 Å |
| Твердость | 6,5 Мооса |
| Плотность | 6,52 г/см3 |
| Температура плавления | Температура плавления |
| Тепловое расширение | 10×10-6/℃ |
| Тангенс потерь (10 ГГц) | ~3×10-4@300K, ~0,6×10-4@77K |
Технический параметр
| Размеры | Максимальный диаметр 76,2 мм (3 дюйма) |
| Толщина | Доступна другая толщина 0,5 мм |
| Полировка | Одиночный или двойной |
| Ориентация | <100><110><111> |
| Ра | Ra≤5Å (5 мкм × 5 мкм) |
| Допуск ориентации | ±0,2° |
| Ориентация Квартира | 2°(в пределах 1° по особым требованиям) |
| Угол кристаллического | Специальный размер и ориентация доступны по запросу. |
Примечание. Вышеуказанные параметры приведены только для справки. Для уточнения ваших конкретных требований свяжитесь с нашим торговым представителем.
